Нанофизика: правильный поворот

  • Пользователь Алексей Коровин опубликовал
  • 31 марта 2023 г., 13:52:30 MSK
  • 0 комментариев
  • 35 просмотров
Уложенные друг на друга слои ультратонких полупроводниковых материалов обладают свойствами, которые могут быть использованы для новых применений. Физики изучали эффекты, возникающие при легком перекручивании двух слоев.

Уложенные друг на друга слои ультратонких полупроводниковых материалов обладают свойствами, которые могут быть использованы для новых применений. Команда, возглавляемая физиком из LMU Александром Хегеле, изучила эффекты, возникающие при легком перекручивании двух слоев.

Новые ультратонкие наноматериалы обладают замечательными свойствами. Например, если вы сложите отдельные атомарно тонкие слои кристаллов в вертикальную сборку, могут возникнуть удивительные физические эффекты. Например, двойные слои чудо-материала графена, скрученные под магическим углом 1,1 градуса, могут обладать сверхпроводимостью. И исследователи также сосредотачивают свое внимание на двухслойных полупроводниковых гетероструктурах, изготовленных из так называемых дихалькогенидов переходных металлов, которые слабо удерживаются вместе силами ван-дер-Ваальса.

Исследовательская группа, возглавляемая Александром Хегеле, исследует такие новые гетероструктуры, которые не встречаются в природе. "Сочетание материалов, количество слоев и их относительная ориентация приводят к широкому спектру новых явлений", - говорит физик LMU. "В лаборатории мы можем адаптировать физические явления для различных применений в электронике, фотонике или квантовых технологиях со свойствами, которые неизвестны в природных кристаллах". Однако экспериментально наблюдаемые явления не всегда легко интерпретировать, о чем свидетельствует новая статья, опубликованная в журнале Природные нанотехнологии демонстрирует.

Команда Хегеле исследовала гетерослойную систему, удерживаемую вместе силами ван-дер-Ваальса и изготовленную из полупроводниковых монослоев диселенида молибдена (MoSe2) и диселенида вольфрама (WSe2). В зависимости от ориентации отдельных слоев могут возникать муаровые эффекты. Эти эффекты, с которыми мы знакомы из повседневной жизни, также возникают в наномире, когда две разные атомные решетки накладываются друг на друга или две идентичные решетки скручиваются относительно друг друга. Отличие корпуса nano в том, что это не оптический эффект. В квантово-механическом мире атомарно тонких кристаллических гетероструктур муаровая интерференция резко влияет на свойства составной системы, также воздействуя на электроны и сильно связанные электронно-дырочные пары, или экситоны, объясняет Хегеле.

"Наша работа показывает, что наивное представление об идеальном муаровом узоре в гетерослойном MoSe2-WSe2 не обязательно верно, особенно при малых углах поворота. Следовательно, интерпретация феноменологии, наблюдаемой на сегодняшний день, должна быть частично пересмотрена", - говорит Хегеле. Вместо периодических муаровых узоров имеются расширенные по бокам области, свободные от муаровых помех. Более того, существуют зоны с интересными квантовомеханическими эффектами, такими как одномерные квантовые провода или квазинулевые квантовые точки, которые потенциально пригодны для применения в квантовой связи, основанной на пространственно локализованных экситонах с характеристиками однофотонного излучения. В последнем случае идеальные муаровые узоры предположительно трансформируются в периодические узоры с треугольной или шестиугольной плиткой.

Причина, по-видимому, кроется в упругой деформации решетчатой структуры, которая зависит от ориентации слоев. Атомы смещаются из своих равновесных положений, что происходит за счет увеличения деформации в отдельных слоях, но способствует лучшей адгезии между слоями. Результатом является энергетический ландшафт в гетерослойной системе, который может быть спроектирован и потенциально эксплуатироваться с помощью рационального проектирования. "Мы также наблюдаем коллективные явления в синтетических кристаллах, где периодические муаровые узоры оказывают значительное влияние на движение электронов, а также на их взаимные взаимодействия", - говорит Хегеле.

Решающее значение имеет понимание экситонов - электронно-дырочных пар, - которые характерны для различных типов атомных регистров в двухслойных кристаллических гетероструктурах и которые потенциально могут быть использованы в будущих оптоэлектронных приложениях. Эти экситоны генерируются в полупроводниковых дихалькогенидах переходных металлов посредством поглощения света и снова преобразуются обратно в свет. "Таким образом, экситоны действуют как посредники взаимодействия света с веществом в полупроводниковых кристаллах", - говорит Хегеле. Как показано в настоящей работе, различные типы экситонов возникают в зависимости от фактической структуры гетерослойных систем при параллельном или антипараллельном выравнивании. "Мы хотим научиться изготавливать гетероструктуры ван-дер-Ваальса с индивидуальными свойствами в рамках детерминированного подхода для управления богатой возникающей феноменологией коррелированных эффектов, таких как магнетизм или сверхпроводимость".

Комментарии

0 комментариев