Профессор POSTECH Юн Ен Чунг (кафедра электротехники и кафедра полупроводниковой инженерии) и кандидат наук Сонмин Пак (кафедра электротехники) в рамках совместных исследований с Samsung Electronics разработали флэш-память с увеличенным объемом хранения данных путем преднамеренного создания дефектов.

По мере развития технологии искусственного интеллекта требуется разработка нового полупроводникового устройства, оптимизированного для нейронной сети с многоуровневыми данными. Новые материалы и устройства были разработаны как нейроморфные устройства, но имеют ограничения по долговечности, масштабируемости и емкости хранилища по сравнению с флэш-памятью, которая широко используется в качестве устройства хранения для различных приложений.

Чтобы преодолеть эти проблемы, исследовательская группа внедрила процесс сильной плазменной бомбардировки во время нанесения слоя хранения данных для создания искусственных дефектных участков в устройстве флэш-памяти. Исследователи подтвердили, что в сгенерированных дефектах может храниться больше электронов, что значительно увеличивает объем хранения данных по сравнению с обычной флэш-памятью.

Память с несколькими уровнями данных может быть продемонстрирована, когда электроны постепенно заполняют слой хранения данных, в котором генерируется много дефектов. Многоуровневая флэш-память, разработанная в этом исследовании, может надежно различать восемь уровней данных.

Результаты исследования важны тем, что они могут свести к минимуму риск разработки нового полупроводникового материала или структуры и, в то же время, значительно улучшить флэш-память с отличной производительностью и масштабируемостью для приложений искусственного интеллекта. Ожидается, что при применении к нейроморфным системам точность и надежность вывода будут значительно повышены по сравнению с обычными устройствами.

Недавно опубликованный в Материалы сегодня Нано, известном международном академическом журнале в области нанотехнологий, это исследование было поддержано Samsung Electronics и Следующий-поколение Интеллект-Тип Программа разработки полупроводников.